大功率低光衰高抗靜電發(fā)光二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201020178603.8 申請日 -
公開（公告）號 CN201673925U 公開（公告）日 2010-12-15
申請公布號 CN201673925U 申請公布日 2010-12-15
分類號 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃少彬;許永志 申請（專利權）人 高安市漢唐高晶光電有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 336000 江西省高安市清高路603號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種大功率低光衰高抗靜電發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管由基板(2)、帶散熱鰭片的銅制支架(3)、硅襯底大功率芯片(1)、金線(4)、熒光材料(6)和硅膠透鏡(5)組成。帶散熱鰭片的銅制支架用錫焊接在銅基板上，硅襯底大功率芯片倒裝在帶散熱鰭片的銅制支架碗杯中央，金線通過焊接連接芯片和電極，芯片上布有熒光膠干燥后的熒光材料，透鏡安裝在支架的透鏡槽中，把芯片罩在半球狀透鏡中央。由于本實用新型芯片采用硅襯底大功率芯片，加上結構上采用帶散熱鰭片的銅制支架和銅基板，整個發(fā)光二極管的散熱效果大大提高，本實用新型可大幅提高原有的大功率LED產品的各項性能，使大功率LED產品可廣泛用于室內、外照明，景觀裝飾，礦山，搶險，軍事等領域。