大功率低光衰高抗靜電發(fā)光二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010162035.7 申請日 -
公開（公告）號 CN101901863A 公開（公告）日 2010-12-01
申請公布號 CN101901863A 申請公布日 2010-12-01
分類號 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/52(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃少彬;許永志 申請（專利權(quán)）人 高安市漢唐高晶光電有限公司
代理機構(gòu) 南昌市平凡知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 姚伯川
地址 336000 江西省高安市清高路603號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種大功率低光衰高抗靜電發(fā)光二極管及其制備方法，所述發(fā)光二極管由銅基板(2)、帶散熱鰭片的銅制支架(3)、硅襯底大功率倒裝芯片(1)、金線(4)、熒光材料(6)和硅膠透鏡(5)組成；其制備方法包括：在帶散熱鰭片的銅制支架碗杯上點膠、固定硅襯底大功率倒裝芯片、焊接銀線、點熒光膠并烘干、外層包覆硅膠并烘干、將支架底座焊接在基板上。本方法由于采用硅襯底大功率倒裝芯片、在帶散熱鰭片的銅制支架和銅基板等綜合工藝措施，較好地解決了大功率發(fā)光二極管的散熱問題，其光衰也大大降低，達(dá)到1000小時零光衰。本發(fā)明大功率低光衰高抗靜電發(fā)光二極管可廣泛用于室內(nèi)、外照明，景觀裝飾，礦山，搶險，軍事等領(lǐng)域。