一種基板臺(tái)、沉積部和微波等離子化學(xué)氣相沉積裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020865177.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN212316283U | 公開（公告）日 | 2021-01-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212316283U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-08 |
| 分類號(hào) | C30B25/00(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 王壘;溫簡(jiǎn)杰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海昌潤(rùn)極銳超硬材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 上海昌潤(rùn)極銳超硬材料有限公司 |
| 地址 | 201111上海市閔行區(qū)陪昆路206號(hào)第18幢101室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種基板臺(tái)、沉積部和微波等離子化學(xué)氣相沉積裝置，該基板臺(tái)包括基板、兩個(gè)以上熱電偶、兩個(gè)以上加熱單元和控制單元；所述基板底部設(shè)有兩個(gè)以上凹槽，所述熱電偶和所述加熱單元設(shè)于所述凹槽內(nèi)；所述控制單元與所述熱電偶和所述加熱單元連通。本實(shí)用新型降低基板的溫差，使其更適合多晶或單晶的制備。?? |
