能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610817114.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN106298703A 公開(kāi)（公告）日 2017-01-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN106298703A 申請(qǐng)公布日 2017-01-04
分類號(hào) H01L23/367(2006.01)I;H01L23/42(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊;徐維 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢晶亮電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 武漢晶亮電子科技有限公司
地址 430000 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)高新大道999號(hào)未來(lái)科技城A5北區(qū)4棟7層701號(hào)工位3座
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種能夠改善散熱效能的快充MOSFET封裝結(jié)構(gòu)，包括功率器件、第一散熱基板和第二散熱基板；其中，所述功率器件設(shè)置在所述第一散熱基板上；所述功率器件的集極連接所述第一散熱基板；所述功率器件的源極連接所述第二散熱基板。還包括托板；所述第一散熱基板和第二散熱基板設(shè)置在所述托板上。所述第一散熱基板的面積大于第二散熱基本的面積。本發(fā)明能夠?qū)⒐β势骷跏籍a(chǎn)生的熱及時(shí)排除，保持功率器件在低溫環(huán)境運(yùn)行，維持其固定阻抗及較高的電源轉(zhuǎn)換效率。