一種芯片銅互聯(lián)高純硫酸銅電鍍液的生產(chǎn)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200610025947.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN100529194C 公開(kāi)（公告）日 2009-08-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN100529194C 申請(qǐng)公布日 2009-08-19
分類(lèi)號(hào) C25D3/38(2006.01)I 分類(lèi) 電解或電泳工藝；其所用設(shè)備〔4〕;
發(fā)明人 孫江燕;欒善東;郁祖湛 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海新科投資有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海智信專(zhuān)利代理有限公司 代理人 上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料有限公司;上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料股份有限公司
地址 201616上海市松江區(qū)文合路1268號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明一種芯片銅互聯(lián)高純硫酸銅電鍍液的生產(chǎn)方法，首先包括一個(gè)電解的步驟：在電解的過(guò)程中，采用一個(gè)電解槽，電解槽內(nèi)設(shè)置有陽(yáng)極和陰極，陽(yáng)極采用電解銅板，陰極采用鉑板，在陰極和陽(yáng)極的中間用單向膜隔開(kāi)，電解槽中采用硫酸作電解液，用電化學(xué)方法溶解金屬銅；其次，包括一個(gè)超級(jí)過(guò)濾純化的步驟，得到金屬雜質(zhì)總量小于10PPM，有機(jī)雜質(zhì)含量小于10PPM的高純度硫酸銅混合鍍液。本發(fā)明是采用電化學(xué)與膜技術(shù)相結(jié)合的純化方法，通過(guò)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)，再結(jié)合半導(dǎo)體超純凈化和超濾技術(shù)，使產(chǎn)品的其它指標(biāo)得以控制，產(chǎn)品無(wú)蒸發(fā)結(jié)晶提純，直接制得合格的銅互聯(lián)高純硫酸銅電鍍液。