Cu2O/TiO2納米復(fù)合薄膜的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201310013497.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN103088343B | 公開(公告)日 | 2016-08-10 |
申請公布號 | CN103088343B | 申請公布日 | 2016-08-10 |
分類號 | C23C28/04(2006.01)I;C23C26/00(2006.01)I;C25D9/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 余曉皎;黃琳珠;張健;張阿曼;張帆;鈕金芬;姚秉華 | 申請(專利權(quán))人 | 杭州坤瑞格拉威寶科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 西安弘理專利事務(wù)所 | 代理人 | 西安理工大學(xué);杭州坤瑞格拉威寶科技有限公司 |
地址 | 710048 陜西省西安市金花南路5號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | Cu2O/TiO2納米復(fù)合薄膜,包括導(dǎo)電玻璃基底,導(dǎo)電玻璃基底上覆有納米TiO2薄膜和納米Cu2O薄膜。其制備方法為以導(dǎo)電玻璃為基底,先采用浸漬-提拉法涂上一層TiO2膠體溶液,形成TiO2納米層,然后再采用電沉積法沉積Cu2O納米層。本發(fā)明Cu2O/TiO2納米復(fù)合薄膜,提高了能量轉(zhuǎn)換效率,增強了Cu2O晶體的致密性,提高納米Cu2O/TiO2薄膜在400~570nm范圍內(nèi)可見光吸收率。 |
