一種內(nèi)置傳送機構(gòu)的級聯(lián)真空腔裝置及傳送方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111000882.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113879846A | 公開(公告)日 | 2022-01-04 |
申請公布號 | CN113879846A | 申請公布日 | 2022-01-04 |
分類號 | B65G49/07(2006.01)I | 分類 | 輸送;包裝;貯存;搬運薄的或細絲狀材料; |
發(fā)明人 | 夏長城;李國慶;孫國梁 | 申請(專利權(quán))人 | 華研芯測半導體(蘇州)有限公司 |
代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 215300江蘇省蘇州市昆山市巴城鎮(zhèn)學院路999號1號房 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種內(nèi)置傳送機構(gòu)的級聯(lián)真空腔裝置及傳送方法,該裝置包括多個依次連接的真空腔,定義最左面的一個真空腔室為第一真空腔,且最右面的一個真空腔為第二真空腔;每一真空腔皆包括真空腔室、分子泵、分子泵接口、晶圓進出口接口、支撐架和機器手,分子泵通過分子泵接口與真空腔室連接,第一真空腔的左側(cè)的晶圓進出口接口與電子顯微鏡連接,第二真空腔的右側(cè)的晶圓進出口接口與光刻機連接。本發(fā)明通過機器手將晶圓從真空腔室與電子顯微鏡或光刻機中取出或送入,最終使光刻機刻蝕晶圓后能快速送入到電子顯微鏡中采集圖像,采集圖像后能夠快速送入到光刻機中進行下一層的刻蝕,提高光刻機刻蝕的生產(chǎn)效率。 |
