一種N型單晶雙面電池的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610759745.5 申請日 -
公開（公告）號 CN106299027B 公開（公告）日 2017-12-01
申請公布號 CN106299027B 申請公布日 2017-12-01
分類號 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 勵小偉;梁海;賴儒丹;周濤銘;胡巧;張小明 申請（專利權(quán)）人 寧波樂豐新能源有限公司
代理機構(gòu) 寧波市鄞州甬致專利代理事務所（普通合伙） 代理人 沈錫倍
地址 315700 浙江省寧波市象山縣泗洲頭鎮(zhèn)工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種成片率高且光電轉(zhuǎn)換效率好的N型單晶雙面電池的制備方法，包括如下步驟：硅片正面制絨后進行B擴散，正面制絨具體為：先用激光在硅片正面形成金字塔結(jié)構(gòu)，氮氣清潔干凈后，加熱硅片到70°~80°，利用超聲波霧化在硅片正面沉積NaOH小液滴，經(jīng)過2~4分鐘腐蝕后形成金字塔絨面結(jié)構(gòu)；進行濕法蝕刻，去除硅片背面、邊緣形成的自擴散層，然后沉積SiNX掩膜；對硅片背面進行P擴散后，等離子蝕刻邊緣的自擴散層，并用腐蝕液進行清洗，去除表面SiNX掩膜層和磷硅玻璃層；利用ALD方式形成硅片正面Al2O3鈍化膜，并在硅片正面沉積SiNX保護膜、在硅片背面沉積SiNX減反膜；在絲網(wǎng)印刷形成電極進行燒結(jié)。