一種含有場板的DMOS晶體管及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210559949.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114664934A 公開（公告）日 2022-06-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN114664934A 申請(qǐng)公布日 2022-06-24
分類號(hào) H01L29/40（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳李瑞;王彬;徐凱;程晨;張永生 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇游隼微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 211135江蘇省南京市棲霞區(qū)麒麟科技創(chuàng)新園啟迪大街188號(hào)二樓啟迪之星南京眾創(chuàng)空間G41
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種含有場板的DMOS晶體管及其制作方法，通過在柵電極和源區(qū)之間增加U型場板并通過淀積金屬形成場板電極，起到了調(diào)節(jié)場板電極的電位，避免了在大電壓下，載流子通過氧化層質(zhì)量缺陷隧穿進(jìn)入柵電極，導(dǎo)致柵源導(dǎo)通。同時(shí)U型場板結(jié)構(gòu)還可以增加電場分布長度，起到減小峰值電場強(qiáng)度和分散器件的峰值電場的作用，進(jìn)一步提高了DMOS器件的擊穿電壓和降低導(dǎo)通電阻。