相變存儲器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210572855.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114678468A 公開（公告）日 2022-06-28
申請公布號 CN114678468A 申請公布日 2022-06-28
分類號 H01L45/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程晨;王彬;徐凱;吳李瑞;趙佳佳 申請（專利權(quán)）人 江蘇游隼微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 211135江蘇省南京市棲霞區(qū)麒麟科技創(chuàng)新園啟迪大街188號二樓啟迪之星南京眾創(chuàng)空間G41
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種相變存儲器及其制作方法，器件包括襯底、襯底表面設(shè)有溝槽結(jié)構(gòu)，在襯底表面設(shè)有隧穿層，隧穿層表面設(shè)有俘獲層，俘獲層為相變材料納米晶?；Y(jié)構(gòu)，俘獲層上形成阻擋層，阻擋層將相變材料納米晶?；Y(jié)構(gòu)包裹住并相互隔開，阻擋層表面設(shè)有半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層表面設(shè)有上電極，襯底背面設(shè)有下電極。本發(fā)明將相變材料納米晶粒化和溝槽結(jié)構(gòu)組合，實(shí)現(xiàn)了增加相變存儲器的工作使用壽命和存儲容量。