一種碳化硅功率半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210196047.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114335152B 公開（公告）日 2022-05-24
申請公布號 CN114335152B 申請公布日 2022-05-24
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/266（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程晨;王彬;徐凱;吳李瑞 申請（專利權(quán)）人 江蘇游隼微電子有限公司
代理機構(gòu) 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 225000 江蘇省揚州市文昌東路88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳化硅功率半導(dǎo)體器件及其制備方法，在保證現(xiàn)有技術(shù)中減小源極歐姆接觸電阻，降低器件功率損耗的前提下，通過調(diào)整源區(qū)的布局和自對準注入方式，不采用刻蝕方式，保證了第一源區(qū)和第二源區(qū)顯露出的表面平整，形成了良好的源極接觸層，解決了各向異性刻蝕露出部分第一源區(qū)表面不平整導(dǎo)致源極接觸層接觸不良問題，同時也解決了在工藝特征尺寸越來越小的情況下出現(xiàn)過刻蝕到第一源區(qū)問題，減少了工藝帶來的的誤差，增加了器件可靠性性能。