一種多溝槽功率MOSFET結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210516981.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114628496A 公開（公告）日 2022-06-14
申請公布號 CN114628496A 申請公布日 2022-06-14
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程晨;王彬;徐凱;吳李瑞;張永生 申請（專利權(quán)）人 江蘇游隼微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 211135江蘇省南京市棲霞區(qū)麒麟科技創(chuàng)新園啟迪大街188號二樓啟迪之星南京眾創(chuàng)空間G41
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多溝槽功率MOSFET結(jié)構(gòu)及其制作方法，在襯底上方為輕摻雜外延層，輕摻雜外延層上方為漂移區(qū)，漂移區(qū)內(nèi)等間距分布若干向下的溝槽，溝槽內(nèi)表面設(shè)有一層?xùn)叛趸瘜樱⒃跍喜蹆?nèi)淀積形成多晶硅柵，多晶硅柵的頂部淀積金屬形成柵極電極。各溝槽之間的漂移區(qū)表面向下離子注入形成基區(qū)；對各基區(qū)的上方左右半邊分別進(jìn)行重?fù)诫s離子注入形成不同導(dǎo)電類型的源區(qū)。在相鄰溝槽之間的漂移區(qū)上方還分別設(shè)有源區(qū)電極；在源區(qū)上方未覆蓋源區(qū)電極的區(qū)域覆蓋氧化介質(zhì)層。本發(fā)明通過調(diào)整源區(qū)的布局，有效解決現(xiàn)有技術(shù)中添加接觸孔做源極電極時，接觸孔和溝槽套刻對位需要精確的問題。