一種多溝槽功率MOSFET結(jié)構(gòu)及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210516981.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114628496A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-06-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114628496A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-14 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 程晨;王彬;徐凱;吳李瑞;張永生 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 江蘇游隼微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京瑞弘專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 211135江蘇省南京市棲霞區(qū)麒麟科技創(chuàng)新園啟迪大街188號(hào)二樓啟迪之星南京眾創(chuàng)空間G41 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種多溝槽功率MOSFET結(jié)構(gòu)及其制作方法，在襯底上方為輕摻雜外延層，輕摻雜外延層上方為漂移區(qū)，漂移區(qū)內(nèi)等間距分布若干向下的溝槽，溝槽內(nèi)表面設(shè)有一層?xùn)叛趸瘜?，并在溝槽?nèi)淀積形成多晶硅柵，多晶硅柵的頂部淀積金屬形成柵極電極。各溝槽之間的漂移區(qū)表面向下離子注入形成基區(qū)；對(duì)各基區(qū)的上方左右半邊分別進(jìn)行重?fù)诫s離子注入形成不同導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)。在相鄰溝槽之間的漂移區(qū)上方還分別設(shè)有源區(qū)電極；在源區(qū)上方未覆蓋源區(qū)電極的區(qū)域覆蓋氧化介質(zhì)層。本發(fā)明通過(guò)調(diào)整源區(qū)的布局，有效解決現(xiàn)有技術(shù)中添加接觸孔做源極電極時(shí)，接觸孔和溝槽套刻對(duì)位需要精確的問(wèn)題。 |
