一種基于納米晶顆粒的場效應(yīng)晶體管存儲器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210432730.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114551585A 公開（公告）日 2022-05-27
申請公布號 CN114551585A 申請公布日 2022-05-27
分類號 H01L29/423（2006.01）I;H01L29/49（2006.01）I;H01L29/51（2006.01）I;H01L29/792（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程晨;王彬;徐凱;張永生;吳李瑞 申請（專利權(quán)）人 江蘇游隼微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 211135江蘇省南京市棲霞區(qū)麒麟科技創(chuàng)新園啟迪大街188號二樓啟迪之星南京眾創(chuàng)空間G41
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)公開了一種基于納米晶顆粒的場效應(yīng)晶體管存儲器及其制作方法，將氮化硅和石墨烯結(jié)合，通過在納米晶顆粒上形成氮化硅和石墨烯，石墨烯作為柵極，納米晶粒存儲數(shù)據(jù)+氮化硅消除雙光子吸收效應(yīng)和自由載流子效應(yīng)的影響+石墨烯超大的光吸收帶寬這種組合可以有效提高器件對入射光的收集效率，增強(qiáng)光電轉(zhuǎn)換效率，降低接觸電阻，從而達(dá)到了在低操作電壓的情況下，也能有很高的器件的存儲密度和讀取寫入速度，同時(shí)該器件也可兼容標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，大大提高了其應(yīng)用范圍。