一種高溫高可靠厚膜Al焊盤的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010772690.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111863629A | 公開（公告）日 | 2020-10-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111863629A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-30 |
| 分類號(hào) | H01L21/48(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉欣;錢滿滿;劉軍;王鵬;胡宗亮;孫玉達(dá);崔久鵬;丁長(zhǎng)春;趙秋山 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 青島智騰微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 266000山東省青島市高新區(qū)名園路11號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開一種高溫高可靠厚膜Al焊盤的制備方法，屬于航天微電子封裝技術(shù)領(lǐng)域，通過在厚膜金導(dǎo)帶上原位生成Al焊盤，實(shí)現(xiàn)了Al?Al的鍵合方式，將其應(yīng)用在200～250℃的高溫電路產(chǎn)品上也具有長(zhǎng)期的可靠性；通過選擇性的在金導(dǎo)帶上印刷燒結(jié)一層5～8um厚的Ni過渡層，以及濺射形成的鈦鎢復(fù)合層相互配合起到阻擋層的作用，實(shí)現(xiàn)隔絕金和鋁之間的互擴(kuò)散；然后在TiW層的表面用磁控濺射的方式沉積一層3～5um的Al金屬層，為厚膜電路的內(nèi)引線互連提供Al?Al的鍵合體系，可以消除Au?Al鍵合產(chǎn)生的金屬間化合物和柯肯達(dá)爾效應(yīng)帶來的不利影響，在200～250℃的高溫環(huán)境下長(zhǎng)期工作，依然可以提供有效地引線鍵合強(qiáng)度和導(dǎo)通電阻，實(shí)現(xiàn)了高溫高可靠的產(chǎn)品應(yīng)用。?? |
