一種高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910763884.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110483060B 公開(kāi)（公告）日 2021-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN110483060B 申請(qǐng)公布日 2021-09-07
分類(lèi)號(hào) C04B35/584;C04B35/622;C04B35/64 分類(lèi) 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
發(fā)明人 楊大勝;施純錫 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 福建華清電子材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 泉州市誠(chéng)得知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 賴開(kāi)慧
地址 362200 福建省泉州市晉江市五里工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及陶瓷材料制備技術(shù)領(lǐng)域，提供一種高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷及其制備方法，解決現(xiàn)有技術(shù)氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率不高的問(wèn)題。所述氮化硅陶瓷包括：氮化硅60～90份、碳化硅8～12份、稀土氯化物3～5份、氟化鐿0.2～1份、氮化鋯0.5～2份、分散劑5～10份。本發(fā)明添加稀土氯化物在不額外引入氧的情況下，提高了氮化硅粉體的燒結(jié)活性，實(shí)現(xiàn)氮化硅陶瓷的致密化；氟化鐿可以促進(jìn)Si和N的擴(kuò)散，且與氮化硅晶格內(nèi)的氧雜質(zhì)反應(yīng)，從而有效地降低氮化硅晶格溶解氧含量，提高氮化硅熱導(dǎo)率；氮化鋯中的鋯離子對(duì)氧具有很強(qiáng)的親和力，可以吸收部分晶格內(nèi)的氧雜質(zhì)。稀土氯化物、氟化鐿及氮化鋯相互配合，還可以增加氮化硅晶粒的尺寸，排出氧雜質(zhì)。