晶圓凸塊下金屬化的鍍層制造工藝及其鍍層結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010447839.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112382579B 公開(kāi)（公告）日 2022-02-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN112382579B 申請(qǐng)公布日 2022-02-15
分類(lèi)號(hào) H01L21/60（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;C23C18/48（2006.01）I;C23C28/02（2006.01）I;C25D5/02（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 王江鋒;洪學(xué)平;汪文珍 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 深圳創(chuàng)智芯聯(lián)科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518100廣東省深圳市寶安區(qū)新安街道留仙二路中糧商務(wù)公園1棟14樓1403A
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種晶圓凸塊下金屬化的鍍層制造工藝及其鍍層結(jié)構(gòu)，該工藝中的基材為硅或者碳化硅半導(dǎo)體；該基材表面上設(shè)置有導(dǎo)電線路區(qū)和非導(dǎo)電區(qū)，基材表面的導(dǎo)電線路區(qū)向下凹陷后形成一倒?fàn)畹木A凸塊。本發(fā)明該發(fā)明采用的化學(xué)鍍錫合金工藝得到鍍層為化學(xué)置換型鍍層，不需要通電，也非傳統(tǒng)的化學(xué)自催化反應(yīng)，僅需要置換反應(yīng)就可以進(jìn)行。采用該發(fā)明的得到凸塊下金屬化（UBM）和再布線（RDL）既可以具有綁定性，也具有良好的焊接性。