晶圓銅互連的高純度硫酸銅的制備方法及其電鍍銅工藝
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202210221860.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114318436A | 公開(公告)日 | 2022-04-12 |
申請公布號 | CN114318436A | 申請公布日 | 2022-04-12 |
分類號 | C25D3/38(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I;C01G3/10(2006.01)I | 分類 | 電解或電泳工藝;其所用設備〔4〕; |
發(fā)明人 | 姚玉;王江鋒 | 申請(專利權)人 | 深圳創(chuàng)智芯聯(lián)科技股份有限公司 |
代理機構 | - | 代理人 | - |
地址 | 518101廣東省深圳市寶安區(qū)新安街道留仙二路中糧商務公園1棟14樓1403A | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種晶圓銅互連的高純度硫酸銅的制備方法及其電鍍銅工藝。該電鍍銅工藝中電鍍溶液包括以下質量濃度的組分:高純度硫酸銅100?200g/L;濃硫酸120?150g/L;復合整平劑30?90mg/L;復合潤濕劑15?45mg/L;絡合劑0.5?4g/L;加速劑0.1?0.5g/L;光亮劑15?75g/L;走位劑10?40mg/L;去極化劑15?45mg/L。使用該發(fā)明電鍍銅溶液在晶圓上進行電鍍,可以獲得均勻性優(yōu)異的銅柱,拱形率低于3%,且適用寬電流密度范圍,電流密度范圍為0.1?75ASD。 |
