一種高抗浪涌電流能力的柵控二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210441706.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114551576B 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114551576B 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧航;高巍;戴茂州 申請（專利權(quán)）人 成都蓉矽半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 成都點睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 610041四川省成都市中國（四川）自由貿(mào)易試驗區(qū)成都高新區(qū)天府大道中段1366號2棟9樓12-18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高抗浪涌電流能力的柵控二極管，屬于功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的一種高抗浪涌電流能力的柵控二極管采用MOS的溝道進行單向電流導(dǎo)通。為了降低二極管的正向?qū)▔航担景l(fā)明采用積累型溝道取代常規(guī)反型溝道。此外，為了提高器件的抗浪涌能力，我們?yōu)樵摉趴囟O管集成了并聯(lián)的PNP三極管，三極管的加入使得浪涌電流到來時三極管的基區(qū)能夠被電導(dǎo)調(diào)制，降低了三極管基區(qū)的體電阻，進一步的，三極管的集電結(jié)反偏，將進一步放大由發(fā)射區(qū)進入基區(qū)的電流。