集成高速續(xù)流二極管的碳化硅分離柵MOSFET及制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210090837.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114122123A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114122123A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 顧航;高巍;戴茂州 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 成都蓉矽半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都點(diǎn)睛專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 敖歡 |
| 地址 | 610041四川省成都市中國(guó)（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)天府大道中段1366號(hào)2棟9樓12-18號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種集成高速續(xù)流二極管的碳化硅分離柵MOSFET及其制備方法，屬于功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的MOSFET采用分離柵的設(shè)計(jì)，以降低器件的開(kāi)關(guān)損耗。為了防止分離柵結(jié)構(gòu)所帶來(lái)的柵氧可靠性問(wèn)題，加入了P型埋層降低多晶硅邊緣柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度。進(jìn)一步地，加入了N型導(dǎo)流層，將電流從溝道引入到器件的漂移區(qū)。此外，為了降低碳化硅MOSFET寄生體二極管的導(dǎo)通壓降以及引入單極導(dǎo)電模式，在MOSFET的元胞另一邊引入了一種基于MOS結(jié)構(gòu)的高速續(xù)流二極管，相對(duì)于傳統(tǒng)做法，本發(fā)明的高速續(xù)流二極管采用P型埋層的表面拖尾形成溝道區(qū)，即在不增加額外版次的情況下盡量降低了高速續(xù)流二極管的導(dǎo)通壓降。 |
