集成高速續(xù)流二極管的碳化硅分離柵MOSFET及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210090837.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114122123A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114122123A 申請公布日 2022-03-01
分類號 H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧航;高巍;戴茂州 申請（專利權）人 成都蓉矽半導體有限公司
代理機構 成都點睛專利代理事務所（普通合伙） 代理人 敖歡
地址 610041四川省成都市中國（四川）自由貿易試驗區(qū)成都高新區(qū)天府大道中段1366號2棟9樓12-18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種集成高速續(xù)流二極管的碳化硅分離柵MOSFET及其制備方法，屬于功率半導體器件技術領域。本發(fā)明的MOSFET采用分離柵的設計，以降低器件的開關損耗。為了防止分離柵結構所帶來的柵氧可靠性問題，加入了P型埋層降低多晶硅邊緣柵氧化層的電場強度。進一步地，加入了N型導流層，將電流從溝道引入到器件的漂移區(qū)。此外，為了降低碳化硅MOSFET寄生體二極管的導通壓降以及引入單極導電模式，在MOSFET的元胞另一邊引入了一種基于MOS結構的高速續(xù)流二極管，相對于傳統(tǒng)做法，本發(fā)明的高速續(xù)流二極管采用P型埋層的表面拖尾形成溝道區(qū)，即在不增加額外版次的情況下盡量降低了高速續(xù)流二極管的導通壓降。