一種集成柵控二極管的碳化硅MOSFET元胞版圖結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210525778.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114628497A 公開(kāi)（公告）日 2022-06-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN114628497A 申請(qǐng)公布日 2022-06-14
分類(lèi)號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I;H01L27/07（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧航;高巍;戴茂州 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 成都蓉矽半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都點(diǎn)睛專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 610041四川省成都市中國(guó)（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)天府大道中段1366號(hào)2棟9樓12-18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種集成柵控二極管的碳化硅MOSFET元胞版圖結(jié)構(gòu)，屬于功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用分離柵設(shè)計(jì)，單片集成了柵控二極管；版圖上將柵控二極管集成到了每一個(gè)MOSFET元胞內(nèi)部，并且從圖形上將柵控二極管與MOSFET的分離柵溝道設(shè)計(jì)為圓形，以解決分離柵邊緣電場(chǎng)集中所帶來(lái)的可靠性問(wèn)題。為了獲得更高的溝道密度，將MOSFET的外側(cè)溝道從版圖上設(shè)計(jì)成六邊形。相對(duì)于傳統(tǒng)單片集成中將主副器件分別單獨(dú)布局的方法，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于均勻的將主器件MOSFET和集成器件柵控二極管布置到了整個(gè)有源區(qū)，使得兩種器件都獲得更大的有效散熱面積，提高了各自的電流能力和魯棒性。