一種集成柵控二極管的碳化硅MOSFET元胞版圖結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210525778.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114628497A 公開（公告）日 2022-06-14
申請公布號 CN114628497A 申請公布日 2022-06-14
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I;H01L27/07（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧航;高巍;戴茂州 申請（專利權(quán)）人 成都蓉矽半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都點睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 610041四川省成都市中國（四川）自由貿(mào)易試驗區(qū)成都高新區(qū)天府大道中段1366號2棟9樓12-18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種集成柵控二極管的碳化硅MOSFET元胞版圖結(jié)構(gòu)，屬于功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用分離柵設(shè)計，單片集成了柵控二極管；版圖上將柵控二極管集成到了每一個MOSFET元胞內(nèi)部，并且從圖形上將柵控二極管與MOSFET的分離柵溝道設(shè)計為圓形，以解決分離柵邊緣電場集中所帶來的可靠性問題。為了獲得更高的溝道密度，將MOSFET的外側(cè)溝道從版圖上設(shè)計成六邊形。相對于傳統(tǒng)單片集成中將主副器件分別單獨布局的方法，本發(fā)明的優(yōu)點在于均勻的將主器件MOSFET和集成器件柵控二極管布置到了整個有源區(qū)，使得兩種器件都獲得更大的有效散熱面積，提高了各自的電流能力和魯棒性。