高抗浪涌電流能力的集成柵控二極管的碳化硅MOSFET
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210441140.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114551601B | 公開（公告）日 | 2022-07-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114551601B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-15 |
| 分類號(hào) | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 顧航;高巍;戴茂州 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 成都蓉矽半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 610041四川省成都市中國(guó)（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)天府大道中段1366號(hào)2棟9樓12-18號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種高抗浪涌電流能力的集成柵控二極管的碳化硅MOSFET，屬于功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。隨著碳化硅功率器件的耐壓越來越高，漂移區(qū)也越來越厚，這使得PIN在進(jìn)行雙極導(dǎo)通過程中越來越多的少子在漂移區(qū)被復(fù)合形成復(fù)合電流，該復(fù)合電流將全部由柵控二極管的溝道承擔(dān)，這將極大降低柵控二極管的柵氧化層可靠性。為了緩解這一問題，為柵控二極管集成了并聯(lián)的PNP BJT，利用反偏的PN結(jié)降低了有效基區(qū)厚度，減少了少子在基區(qū)的復(fù)合，即減小了復(fù)合電流的產(chǎn)生，緩解浪涌狀態(tài)中溝道區(qū)的電流密度，提高了器件整體的抗浪涌電流能力。 |
