集成柵控二極管的碳化硅分離柵MOSFET元胞及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210451101.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114551586B 公開（公告）日 2022-07-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN114551586B 申請(qǐng)公布日 2022-07-12
分類號(hào) H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧航;高巍;戴茂州 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都蓉矽半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 610000四川省成都市中國(guó)（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)天府大道中段1366號(hào)2棟9樓12-18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種集成柵控二極管的碳化硅分離柵MOSFET元胞及其制備方法，屬于功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明的MOSFET采用分離柵的設(shè)計(jì)，以降低器件的開關(guān)損耗；為了解決分離柵結(jié)構(gòu)所帶來的柵氧可靠性降低的問題，加入了P型埋層以降低多晶硅邊緣柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度；加入了N型導(dǎo)流層，將電流從溝道引入到器件的漂移區(qū)；為了降低碳化硅MOSFET寄生體二極管的導(dǎo)通壓降以降低體二極管的反向恢復(fù)電流，在MOSFET的元胞另一邊引入了一種基于積累型溝道MOS結(jié)構(gòu)的柵控二極管。本發(fā)明采用積累型溝道以充分降低二極管的導(dǎo)通損耗，并且通過刻蝕并填埋金屬的做法讓源極金屬與柵控二極管的多晶硅在側(cè)壁接觸，縮小了元胞尺寸。