柵控二極管整流器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111389575.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113823679A 公開（公告）日 2021-12-21
申請公布號 CN113823679A 申請公布日 2021-12-21
分類號 H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖天;高巍;顧航;戴茂州 申請（專利權(quán)）人 成都蓉矽半導體有限公司
代理機構(gòu) 成都點睛專利代理事務所（普通合伙） 代理人 敖歡
地址 610041四川省成都市中國（四川）自由貿(mào)易試驗區(qū)成都高新區(qū)天府大道中段1366號2棟9樓12-18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種柵控二極管整流器，包括金屬化陰極，重摻雜第一導電類型襯底層，第一導電類型漂移層，P型基區(qū)，N+源區(qū)和柵極結(jié)構(gòu)；所述柵極結(jié)構(gòu)為平面柵結(jié)構(gòu)，包括柵氧化層，多晶硅層和金屬化陽極，其中，柵氧化層覆蓋于第一導電類型漂移層之上，其在橫向上覆蓋了MCR器件的溝道區(qū)與部分N+源區(qū)上表面，多晶硅層覆蓋于柵氧化層之上，金屬化陽極覆蓋于多晶硅層與第一導電類型漂移層之上；金屬化陽極與P型基區(qū)接觸形成肖特基接觸區(qū)，本發(fā)明通過陽極金屬與P型基區(qū)的特殊接觸，增加了PN結(jié)的導通壓降，使得器件導通時工作在單極模式，降低了器件的反向恢復時間和電荷，減小了系統(tǒng)的開關(guān)損耗。