高抗浪涌電流能力的集成柵控二極管的碳化硅MOSFET

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210441140.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114551601A 公開（公告）日 2022-05-27
申請公布號 CN114551601A 申請公布日 2022-05-27
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧航;高巍;戴茂州 申請（專利權(quán)）人 成都蓉矽半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 成都點睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 610041四川省成都市中國（四川）自由貿(mào)易試驗區(qū)成都高新區(qū)天府大道中段1366號2棟9樓12-18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高抗浪涌電流能力的集成柵控二極管的碳化硅MOSFET，屬于功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。隨著碳化硅功率器件的耐壓越來越高，漂移區(qū)也越來越厚，這使得PIN在進行雙極導(dǎo)通過程中越來越多的少子在漂移區(qū)被復(fù)合形成復(fù)合電流，該復(fù)合電流將全部由柵控二極管的溝道承擔(dān)，這將極大降低柵控二極管的柵氧化層可靠性。為了緩解這一問題，為柵控二極管集成了并聯(lián)的PNP BJT，利用反偏的PN結(jié)降低了有效基區(qū)厚度，減少了少子在基區(qū)的復(fù)合，即減小了復(fù)合電流的產(chǎn)生，緩解浪涌狀態(tài)中溝道區(qū)的電流密度，提高了器件整體的抗浪涌電流能力。