一種基于氮化鎵工藝集成電路的輸出級電路及其級聯(lián)應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110441987.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113179095A 公開（公告）日 2021-07-27
申請公布號 CN113179095A 申請公布日 2021-07-27
分類號 H03K19/003;H03K17/04;H03K17/687;H02M1/088;H02M3/158 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 鄭逸飛;周琦;祝靖;張偉;陸兆俊;施剛;吳天陽;余思遠 申請（專利權）人 無錫安趨電子有限公司
代理機構 南京經緯專利商標代理有限公司 代理人 奚幼堅
地址 214028 江蘇省無錫市新吳區(qū)清源路18號A區(qū)503
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種基于氮化鎵工藝集成電路的輸出級電路及其級聯(lián)應用，包括自舉單元和圖騰柱式輸出單元，自舉單元包括氮化鎵場效應晶體管M1和M2，氮化鎵阻性器件R1和R2，氮化鎵工藝電容C1和氮化鎵二極管D1；M1的漏極連接R1的一端和電容C1的一端，R1的另一端連接電源VDD，M1的柵極連接控制信號IN1，M1、M2的源極接地，M2的柵極連接控制信號IN2,M2的漏極連接R2的一端并作為自舉單元的輸出端連接圖騰柱式輸出單元中M4的柵極，R2的另一端連接電容C1的另一端和二極管D1的負極，二極管D1的正極連接電源VDD。將一個以上的基于氮化鎵工藝集成電路的輸出級電路級聯(lián)，適用于驅動大尺寸圖騰柱式輸出結構的場合。