一種提高陶瓷PTC熱敏元件的抗還原性的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110585142.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113265636A 公開（公告）日 2021-08-17
申請公布號 CN113265636A 申請公布日 2021-08-17
分類號 C23C14/35;C23C14/10;C23C14/08;C23C14/58 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 傅邱云;何正安;周東祥;石永豐 申請（專利權(quán)）人 江蘇新林芝電子科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 常熟市常新專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 朱偉軍
地址 223900 江蘇省宿遷市泗洪縣經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)外資產(chǎn)業(yè)園5#廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種提高陶瓷PTC熱敏元件的抗還原性的方法，屬于電子元器件制備技術(shù)領(lǐng)域。陶瓷PTC熱敏元件為鈦酸鋇基陶瓷PTC熱敏元件，抗還原性的方法是先將鈦酸鋇基陶瓷PTC熱敏元件裝入盛料盒本體中，再將裝有鈦酸鋇基陶瓷PTC熱敏元件的盛料盒本體裝入磁控濺射設(shè)備，在盛料盒本體處于旋轉(zhuǎn)狀態(tài)下由磁控濺射設(shè)備將作為靶材的無機(jī)材料濺射到鈦酸鋇基陶瓷PTC熱敏元件的表面而在其表面形成一層無機(jī)材料薄膜層，待磁控濺射完畢后，將盛料盒本體連同表面結(jié)合有無機(jī)材料薄膜層的鈦酸鋇基陶瓷PTC熱敏元件取出并進(jìn)行高溫?zé)崽幚?。提高陶瓷PTC熱敏元件抗惡劣環(huán)境的能力并且滿足在含有還原氛環(huán)境下的服役要求；工藝簡便，滿足工業(yè)化放大生產(chǎn)要求。