一種TC-SAW之IDT銅工藝制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810558981.X 申請日 -
公開（公告）號 CN108768334B 公開（公告）日 2022-06-28
申請公布號 CN108768334B 申請公布日 2022-06-28
分類號 H03H3/02（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 鄒福松;楊濬哲;尚榮耀;朱慶芳;謝祥政;蔡文必 申請（專利權(quán)）人 廈門市三安集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司 代理人 -
地址 361000福建省廈門市同安區(qū)洪塘鎮(zhèn)民安大道753-799號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種TC?SAW之IDT銅工藝制造方法，其步驟為：于壓電襯底上形成第一介質(zhì)層，通過正性光刻膠曝光和干法蝕刻于第一介質(zhì)層上形成IDT圖形形貌，沉積IDT金屬層，然后采用CMP工藝研磨IDT金屬層形成相應(yīng)的IDT金屬結(jié)構(gòu)，然后沉積第二介質(zhì)層。本發(fā)明通過正性光刻膠配合干法刻蝕和CMP工藝，可以有效實現(xiàn)金屬圖形化和IDT金屬形貌的控制，滿足更小線寬IDT電極的要求，使得目標(biāo)頻率更易達(dá)成，且工藝簡單，可控性強(qiáng)，極大的降低了成本。