一種垂直腔面發(fā)射激光器結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202122923021.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN216750641U | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-06-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN216750641U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-14 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01S5/183（2006.01）I;H01S5/125（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 蔡文必;周廣正;張建;劉超;阮鑫棟;許燕麗;林石林 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廈門(mén)市三安集成電路有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 361100福建省廈門(mén)市同安區(qū)洪塘鎮(zhèn)民安大道753-799號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種垂直腔面發(fā)射激光器結(jié)構(gòu)，包括依次疊設(shè)的n型電極、GaAs襯底、n型DBR層、MQW層、p型DBR層和p型電極，p型電極為環(huán)狀中間的鏤空形成出光窗口，在MQW層與p型DBR層之間具有GaAs保護(hù)層和GaAs電流擴(kuò)展層，GaAs保護(hù)層設(shè)于MQW層一側(cè)，GaAs電流擴(kuò)展層設(shè)于p型DBR層一側(cè)，絕緣層設(shè)于GaAs電流擴(kuò)展層下方，其為環(huán)狀并包裹GaAs保護(hù)層和MQW層的側(cè)面，絕緣層中間的鏤空形成發(fā)光窗口，在保持垂直腔面發(fā)射激光器較低的閾值電流、較小的發(fā)散角同時(shí)，可以降低垂直腔面發(fā)射激光器的串聯(lián)電阻，提高轉(zhuǎn)換效率。 |
