一種SiC襯底雙面生長SiC外延層的方法及應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010356535.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112038213B 公開（公告）日 2022-06-14
申請公布號 CN112038213B 申請公布日 2022-06-14
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林云昊;蔡文必;毛張文;鄭元宇;張愷玄 申請（專利權(quán)）人 廈門市三安集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司 代理人 -
地址 361000福建省廈門市同安區(qū)洪塘鎮(zhèn)民安大道753-799號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種SiC襯底雙面生長SiC外延層的方法及其在制備SiC基的BJT或IGBT的外延片的應(yīng)用應(yīng)用，通過移除損傷層、反面蒸鍍層的方式，解決SiC襯底或第一SiC外延層損傷導(dǎo)致難以進(jìn)行高質(zhì)量雙面外延的問題，解決襯底反面蒸鍍層或外延反面蒸鍍層影響雙面外延的問題；進(jìn)而能夠有效降低雙面外延中的缺陷，獲得高質(zhì)量的雙面SiC外延層。本發(fā)明中，通過保護(hù)層的設(shè)置，能夠減少SiC襯底或第一SiC外延層的損傷厚度，配合移除損傷層的工藝，減少移除SiC襯底或第一SiC外延層的厚度，降低成本，提高生產(chǎn)效率。本發(fā)明能夠在SiC襯底的正反兩面生長分別具有不同摻雜濃度或摻雜類型的SiC外延結(jié)構(gòu)，為新型的SiC器件開發(fā)提供制備方案，為SiC器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供了更多的可能。