一種制作增強(qiáng)型氮化鎵功率器件的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010175224.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111653478B 公開(kāi)（公告）日 2022-06-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN111653478B 申請(qǐng)公布日 2022-06-28
分類號(hào) H01L21/335（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梁玉玉;蔡文必;劉成;葉念慈;趙杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門(mén)市三安集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門(mén)市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司 代理人 -
地址 361000福建省廈門(mén)市同安區(qū)洪塘鎮(zhèn)民安大道753-799號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種制作增強(qiáng)型氮化鎵功率器件的方法，是在半導(dǎo)體基底的勢(shì)壘層上形成一層層狀納米材料層，蝕刻層狀納米材料層于預(yù)設(shè)柵極位置形成第一窗口，沉積p型氮化物層，然后剝離所述層狀納米材料層，余下所述第一窗口之內(nèi)的p型氮化物層形成p型柵極層。所述層狀納米材料層是六方氮化硼薄膜或類石墨烯二維納米材料。本發(fā)明采用層狀納米材料層制作一種增強(qiáng)型氮化鎵功率器件，避免因p型氮化物層蝕刻造成的勢(shì)壘層界面損傷，提升器件電性特性。