n型CVD共摻雜金剛石薄膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200610023442.3 申請日 -
公開（公告）號 CN100390316C 公開（公告）日 2008-05-28
申請公布號 CN100390316C 申請公布日 2008-05-28
分類號 C23C16/22(2006.01);C23C16/52(2006.01) 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李榮斌;徐建輝 申請（專利權）人 上海昂電科技發(fā)展有限公司
代理機構 上海交達專利事務所 代理人 王錫麟;王桂忠
地址 200245上海市江川路1201號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種材料技術領域的n型CVD共摻雜金剛石薄膜的制備方法。本發(fā)明以液態(tài)丙酮為碳源，固態(tài)三氧化二硼和液態(tài)二甲基二硫分別為p型硼原子和n型硫原子的摻雜源，采用微波等離子體化學氣相沉積技術將p型硼原子和n型硫原子兩種摻雜原子同時摻入到金剛石晶體中獲得共摻雜n型CVD金剛石薄膜：首先對硅襯底進行預處理，然后置于微波加熱裝置中的反應室中，反應室抽真空后充入氫氣，由反應室的頂部饋入碳源氣體以及p型和n型摻雜源氣體，在微波作用下產(chǎn)生氫等離子體、活性氫原子和含碳、硼、硫的活性基團，通過調(diào)節(jié)氣體流量來控制反應氣氛的壓力和摻雜原子的濃度，得到薄膜。本發(fā)明綜合提高摻雜薄膜的電導率、電子遷移率和載流子濃度。