一種鹽酸克倫特羅分子印跡聚鄰苯二胺修飾電極及其制備方法和應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010696268.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112649483A 公開（公告）日 2021-04-13
申請公布號 CN112649483A 申請公布日 2021-04-13
分類號 G01N27/30(2006.01)I;G01N27/48(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 申貴雋;杜宇;丁利葳;季楊楊 申請（專利權）人 大連金普新區(qū)誠澤職業(yè)培訓學校有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 116630遼寧省大連市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)光悅路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 該發(fā)明以鄰苯二胺為功能單體、鹽酸克倫特羅（CLB）為模板、體積配比為1:2的乙腈與去離子水的混合液為洗脫劑，在以玻碳電極為工作電極、鉑絲電極為對電極，飽和Ag/AgCl電極為參比電極的三電極系統(tǒng)中，采用循環(huán)伏安（CV）法掃描20圈。該模板分子經(jīng)過洗脫后，使玻碳電極表面形成了CLB分子印跡的聚合物修飾膜，即CLB分子印跡電化學傳感器。以該傳感器為工作電極對CLB實施了電化學測定。結果表明，在5mol·L?1 K3[Fe(CN)6]溶液中，該傳感器的DPV峰電流與CLB濃度在2.02×10?8～2.19×10?6 mol·L?1范圍內(nèi)有良好的線性關系。通過對三種與CLB結構類似的干擾物選擇性實驗的結果表明該傳感器的選擇性能良好。??