一種高品質(zhì)半導(dǎo)體硅材料耗材生長(zhǎng)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911362831.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111270302B | 公開（公告）日 | 2020-06-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111270302B | 申請(qǐng)公布日 | 2020-06-12 |
| 分類號(hào) | C30B15/08(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 李輝;秦英謖;張熠;穆童;鄭鍇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京晶升裝備股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 南京晶升能源設(shè)備有限公司 |
| 地址 | 211113江蘇省南京市南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)恒發(fā)路30-1號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種高品質(zhì)半導(dǎo)體硅材料耗材生長(zhǎng)方法，包括化料、晶體生長(zhǎng)、等徑生長(zhǎng)、冷卻的步驟。其中采用在坩堝下方來制造過冷度，避免了坩堝上方熱場(chǎng)件上的沉積物散落進(jìn)坩堝內(nèi)的可能，避免造成污染，提高晶體品質(zhì)；整個(gè)晶體生長(zhǎng)過程中，通過下降坩堝以及控制多段加熱器的降溫比例，共同營(yíng)造出一個(gè)合理的固液生長(zhǎng)界面，有利于結(jié)晶時(shí)排雜的同時(shí)，提高了晶體品質(zhì)、通過對(duì)坩堝下降速度、多段加熱器的降溫比例及降溫速度的調(diào)節(jié)，保持固液生長(zhǎng)界面形狀及相對(duì)加熱器位置不變，保證固液生長(zhǎng)界面處的熱場(chǎng)環(huán)境的穩(wěn)定，有利于晶體生長(zhǎng)，便于工藝控制；整個(gè)晶體生長(zhǎng)降溫過程，采用功率控制方式，較傳統(tǒng)溫度控制方式更直接、更準(zhǔn)確。?? |
