一種邊界條件可調的腔室及長晶爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010999395.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112501693A 公開（公告）日 2021-03-16
申請公布號 CN112501693A 申請公布日 2021-03-16
分類號 C30B29/36;C30B35/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李輝;毛瑞川;楊茜 申請（專利權）人 南京晶升裝備股份有限公司
代理機構 南京蘇高專利商標事務所（普通合伙） 代理人 張弛
地址 211113 江蘇省南京市南京經濟技術開發(fā)區(qū)恒發(fā)路30-1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種邊界條件可調的腔室，包括石英管、坩堝、圍繞石英管外圍設置的電磁感應線圈、圍繞石英管及電磁感應線圈外圍設置的水冷罩；所述水冷罩的內層殼體、外層殼體均以隔離電磁輻射的材料制成。本發(fā)明提供的腔室采用若干組水冷環(huán)對石英管進行邊界條件調節(jié)，水冷罩能夠有效的隔離電磁線圈產生的電磁輻射，并通過調節(jié)水冷環(huán)中冷卻水的流量調整對應的熱場溫度，構建適合晶體生長的多段溫度梯度，從而提高晶體良率，同時也便于長晶工藝的定型。本發(fā)明還提供了具有上述腔室的長晶爐。