蒸發(fā)水熱兩步生長銻基薄膜材料的方法和薄膜太陽電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110132481.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112968128A 公開（公告）日 2021-06-15
申請公布號 CN112968128A 申請公布日 2021-06-15
分類號 H01L51/42（2006.01）I;H01L51/48（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C14/24（2006.01）I;C23C18/12（2006.01）I;C23C28/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李海明;馮新文;張俊雙;姜磊;站文華;郭洪武;周靜;曹宇 申請（專利權(quán)）人 國網(wǎng)內(nèi)蒙古東部電力有限公司赤峰供電公司
代理機(jī)構(gòu) 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 代理人 杜文茹
地址 100031北京市西城區(qū)西長安街86號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種蒸發(fā)水熱兩步生長銻基薄膜材料的方法和薄膜太陽電池，蒸發(fā)/水熱兩步生長銻基薄膜材料的方法，是采用蒸發(fā)/水熱兩步法制備銻基電子傳輸吸光薄膜，所述的銻基電子傳輸吸光薄膜是Sb2S3電子傳輸吸光薄膜、Sb2Se3電子傳輸吸光薄膜和Sb2S3/Sb2Se3漸變帶隙電子傳輸吸光薄膜中的一種。一種采用銻基薄膜材料制備的銻基薄膜太陽電池，包括有依次疊放的銻基電子傳輸吸光薄膜、空穴傳輸層和金屬電極層。本發(fā)明先用快速熱蒸發(fā)法生長銻基薄膜，之后采用水熱法完成后續(xù)薄膜的生長。通過水熱法繼續(xù)生長的銻基薄膜表面平整致密，可以起到鈍化銻基薄膜表面缺陷和優(yōu)化界面特性的效果，有效的解決了因快速熱蒸發(fā)法所造成的薄膜表面起伏度高，不平整的問題。