一種連續(xù)化薄膜真空沉積方法及裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200910095388.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101463471B 公開（公告）日 2011-05-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN101463471B 申請(qǐng)公布日 2011-05-04
分類號(hào) C23C14/56(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 夏申江;金炯;朱志強(qiáng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江格隆投資管理有限公司
代理機(jī)構(gòu) 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 代理人 趙紅英
地址 310012 浙江省杭州市西湖區(qū)西湖科技園振中路208號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種連續(xù)化薄膜真空沉積方法及裝置，它包括以下步驟：通過在真空沉積室的進(jìn)口設(shè)置至少一級(jí)進(jìn)口真空預(yù)抽室、在真空沉積室的出口設(shè)置至少一級(jí)出口真空保護(hù)室，以保持真空沉積室內(nèi)的真空度；各級(jí)進(jìn)口真空預(yù)抽室、真空沉積室、各級(jí)出口真空保護(hù)室之間由狹縫連通，并由設(shè)置在狹縫處的閥門密封，基底通過狹縫進(jìn)入各室，閥門在基底通過時(shí)開啟，在基底通過后關(guān)閉；基底在進(jìn)入進(jìn)口真空預(yù)抽室和離開出口真空保護(hù)室時(shí)，至少一個(gè)進(jìn)口閥門和至少一個(gè)出口閥門是關(guān)閉的，以保持真空沉積室內(nèi)的真空度不變。調(diào)整基底的傳送速度使相鄰二塊基底之間的間距在到達(dá)沉積裝置前縮小，并使基底在離開真空沉積室時(shí)，相鄰兩塊基底之間的間距增大，從而實(shí)現(xiàn)薄膜沉積的連續(xù)化進(jìn)行和原材料利用率的極大提高。