一種采用近空間升華技術(shù)在襯底沉積形成半導(dǎo)體薄膜的方法和裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910097899.2 申請日 -
公開（公告）號 CN101525743B 公開（公告）日 2011-06-15
申請公布號 CN101525743B 申請公布日 2011-06-15
分類號 C23C16/448(2006.01)I;C23C16/22(2006.01)I;C03C17/22(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 夏申江 申請（專利權(quán)）人 浙江格隆投資管理有限公司
代理機(jī)構(gòu) 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 代理人 浙江嘉遠(yuǎn)格隆能源股份有限公司;中國建材國際工程集團(tuán)有限公司
地址 310012 浙江省杭州市西湖區(qū)西湖科技園振中路208號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種采用近空間升華技術(shù)在襯底沉積形成半導(dǎo)體薄膜的方法，包括1)將半導(dǎo)體材料填加到坩堝內(nèi)：用運(yùn)載氣體攜帶半導(dǎo)體材料通過通道到達(dá)置于薄膜真空沉積腔內(nèi)的坩堝；2)加熱坩堝使半導(dǎo)體材料受熱升華成氣相并沉積在襯底上。本發(fā)明的有益效果：用運(yùn)載氣體攜帶半導(dǎo)體材料通過通道到達(dá)置于真空沉積腔內(nèi)的坩堝內(nèi)，無需打開薄膜真空沉積腔而直接向薄膜真空沉積裝置連續(xù)或間隙供應(yīng)半導(dǎo)體材料，由運(yùn)載氣體攜帶的半導(dǎo)體材料通過進(jìn)料分配器均勻地分布在坩堝底部，解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的隨著半導(dǎo)體材料在玻璃襯底上沉積形成薄膜，坩堝內(nèi)半導(dǎo)體材料容量隨之減少，導(dǎo)致玻璃襯底和原材料之間距離增大的問題，在同一襯底上所得到的薄膜的均勻度能有效控制。