一種銅片氧化方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110284530.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113215518A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113215518A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-06 |
| 分類(lèi)號(hào) | C23C8/04（2006.01）I;C23C8/12（2006.01）I | 分類(lèi) | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 蔡俊;賀賢漢;馬敬偉;陸玉龍 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 江蘇富樂(lè)德半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海申浩律師事務(wù)所 | 代理人 | 趙建敏 |
| 地址 | 224200江蘇省鹽城市東臺(tái)市城東新區(qū)鴻達(dá)路18號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種銅片氧化方法，將銅片與陶瓷層鍵合的一面形成特定厚度的氧化層，另一面不形成氧化層。其中，氧化爐內(nèi)設(shè)置有入口、加溫區(qū)、冷卻區(qū)以及出口，加溫區(qū)包括十個(gè)溫區(qū)，各區(qū)溫度設(shè)置如下：一區(qū)550℃、二區(qū)650℃、三區(qū)680℃、四區(qū)720℃、五區(qū)720℃、六區(qū)720℃、七區(qū)750℃、八區(qū)750℃、九區(qū)720℃、十區(qū)710℃；氧化爐頂部和底部的進(jìn)氣口處均分別設(shè)置有氧氣進(jìn)氣管和氮?dú)膺M(jìn)氣管，氧氣的流量設(shè)定為38mL/min，氮?dú)獾牧髁吭O(shè)定如下：入口25～35L/min；加溫區(qū)中一至三區(qū)頂部0L/min、四至六區(qū)頂部75～85L/min、八至十區(qū)頂部75～85L/min、一至十區(qū)底部0L/min；冷卻區(qū)25～35L/min；出口25～35L/min。 |
