一種氮化硅陶瓷制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110671471.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113463198A 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN113463198A 申請公布日 2021-10-01
分類號 C30B29/38（2006.01）I;C30B28/06（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B31/06（2006.01）I;C30B33/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王斌;賀賢漢;葛荘;歐陽鵬;孫泉 申請（專利權(quán)）人 江蘇富樂德半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申浩律師事務(wù)所 代理人 趙建敏
地址 224200江蘇省鹽城市東臺市城東新區(qū)鴻達(dá)路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種氮化硅陶瓷制備方法，包括：S1）多晶硅鑄錠：硅粉形核法定向凝固多晶硅鑄錠，將80wt％?95wt％高純硅粉、1?10wt％含鎂粉末、1?10％稀土元素粉末混勻后裝入底部噴涂有石英砂成核層的石英坩堝內(nèi)，并裝入鑄錠爐膛內(nèi)，鑄錠后控制降溫速率，形成晶粒大小為0.5μm?100μm的超細(xì)微晶多晶硅錠；S2）多晶硅片制備：將硅錠切割制成厚度為0.1mm?1mm的多晶硅片；S3）硅片氮化：將多晶硅片堆疊在燒結(jié)爐中，硅片間使用帶有BN涂層的石墨板隔開，抽真空后，氮?dú)鈿夥障略诘瘻囟葹?350℃?1400℃、升溫速率為20?100℃/h、保溫時(shí)間為1h?12h的條件下進(jìn)行氮化，并隨爐冷降溫；S4）硅片坯體燒結(jié)：經(jīng)氮化燒結(jié)的硅片坯體連同治具放置在燒結(jié)爐中，采用氮?dú)鈿夥眨跓Y(jié)溫度1700?1900℃、氮?dú)鈮毫?.5MPa?20MPa條件下進(jìn)行燒結(jié)。