一種制備石墨烯薄膜的裝置、方法及所得石墨烯薄膜

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110442123.7 申請日 -
公開（公告）號 CN102492934B 公開（公告）日 2016-05-11
申請公布號 CN102492934B 申請公布日 2016-05-11
分類號 C23C16/26(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 彭鵬;金虎 申請（專利權(quán)）人 常州碳時代投資有限公司
代理機構(gòu) 北京北翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 常州二維碳素科技股份有限公司
地址 213149 江蘇省常州市武進經(jīng)濟開發(fā)區(qū)祥云路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種通過化學氣相沉積法(CVD法)連續(xù)制備石墨烯薄膜的裝置，其主要由進樣室、爐管和出樣室組成，生長室高溫生長區(qū)將一直保持高溫生長溫度，不用等待升降溫的過程，并解決了樣品在高溫區(qū)的傳動問題，可以進行不間斷的生長，從而大幅度提高用化學氣相沉積(CVD)方法制備石墨烯薄膜的產(chǎn)量。