利用寫緩存優(yōu)化存儲設備性能

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810767761.8 申請日 -
公開（公告）號 CN109164976B 公開（公告）日 2021-12-31
申請公布號 CN109164976B 申請公布日 2021-12-31
分類號 G06F3/06（2006.01）I 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 孫清濤;殷雪冰 申請（專利權）人 北京憶恒創(chuàng)源科技股份有限公司
代理機構 北京卓特專利代理事務所（普通合伙） 代理人 段旺
地址 100192 北京市海淀區(qū)西小口路66號中關村東升科技園B-2號樓A302室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁├脤懢彺鎯?yōu)化存儲設備性能。所提供的處理向NVM寫入數(shù)據(jù)的寫命令的方法，其中提供緩存單元，所述緩存單元包括第一部分和第二部分，該方法包括：接收第一寫命令；響應于所述第一寫命令對應的數(shù)據(jù)被寫入緩存單元的第一部分，向主機發(fā)送指示第一寫命令處理完成的第一消息。本申請公開的技術方案至少能夠降低“小寫”命令帶來的延遲，提升處理效率。