集成電路裝置及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111409595.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114121791A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114121791A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/768（2006.01）I;H01L23/50（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 林佳德;賴程義;郝合理;張瑾 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 日月光半導(dǎo)體（上海）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 林斯凱 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)金科路2300號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)實(shí)施例涉及一種集成電路裝置及其制造方法。根據(jù)本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，一種用于制造集成電路裝置的方法包括以下步驟：在基板上形成具有第一高度的第一金屬層；移除第一金屬層的部分以形成部分地暴露基板的狹槽；對(duì)第一金屬層進(jìn)行圖案化以具有第一圖案；在第一金屬層及經(jīng)暴露的基板上形成具有第二高度的阻焊層，以填充狹槽并覆蓋經(jīng)暴露的基板，并且部分地暴露第一金屬層；在經(jīng)暴露的第一金屬層上以第二圖案形成具有第三高度的第二金屬層，從而形成集成電路區(qū)；在集成電路裝置的上方形成保護(hù)層；移除集成電路區(qū)的一部分所對(duì)應(yīng)的基板的部分、第一金屬層的部分、第二金屬層的部分以及保護(hù)層的部分以形成開(kāi)槽；且移除剩余保護(hù)層。 |
