一種垂直腔面發(fā)射激光器及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010449865.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111478179A | 公開（公告）日 | 2020-07-31 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111478179A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-07-31 |
| 分類號(hào) | H01S5/183(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 張星 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 長(zhǎng)春中科長(zhǎng)光時(shí)空光電技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 長(zhǎng)春中科長(zhǎng)光時(shí)空光電技術(shù)有限公司 |
| 地址 | 130000吉林省長(zhǎng)春市北湖科技開發(fā)區(qū)明溪路1759號(hào)E305室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)公開了一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括由下至上依次層疊的第一電極、襯底、第一反射鏡層、量子點(diǎn)層、第一限制層、過渡層、摻雜層、第二限制層、第二反射鏡層、浮雕層、第二電極，所述過渡層和所述摻雜層中分布有質(zhì)子植入?yún)^(qū)，所述浮雕層包括刻蝕區(qū)和未刻蝕區(qū)，且垂直腔面發(fā)射激光器的中心線與所述浮雕層的交點(diǎn)位于所述刻蝕區(qū)內(nèi)或所述未刻蝕區(qū)內(nèi)。通過引入非共軸的浮雕層的偏移量來實(shí)現(xiàn)VCSEL陣列單元不同模式激射，實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)波長(zhǎng)VCSEL的波長(zhǎng)可調(diào)，制作工藝簡(jiǎn)單，同時(shí)解決了目前的表面浮雕技術(shù)在設(shè)計(jì)和制備過程中都需要表面浮雕中心和VCSEL臺(tái)面中心嚴(yán)格對(duì)準(zhǔn)的問題。本申請(qǐng)還提供一種具有上述優(yōu)點(diǎn)的垂直腔面發(fā)射激光器制作方法。?? |
