一種垂直腔面發(fā)射激光器、列陣及制作方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010112798.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111293585B | 公開(公告)日 | 2021-08-17 |
申請公布號 | CN111293585B | 申請公布日 | 2021-08-17 |
分類號 | H01S5/183;H01S5/323 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張星 | 申請(專利權(quán))人 | 長春中科長光時空光電技術(shù)有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 劉新雷 |
地址 | 130000 吉林省長春市北湖科技開發(fā)區(qū)明溪路1759號E305室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種垂直腔面發(fā)射激光器、陣列以及制作方法,垂直腔面發(fā)射激光器制作方法。將泵浦光源插入發(fā)射光源諧振腔中,利用GaAs材料實現(xiàn)短波800nm至1100nm的泵浦光發(fā)射,泵浦光水平振蕩;垂直耦合器結(jié)構(gòu),具備將泵浦光耦合至垂直表面輸出及釋放InP緩沖層在GaAs上異質(zhì)外延過程中的晶格失配應(yīng)力兩個方面的作用,從結(jié)構(gòu)上完全避免了傳統(tǒng)的InP基長波長垂直腔面發(fā)射激光器面臨的DBR反射鏡折射率差小、熱阻大、缺乏有效的光電限制結(jié)構(gòu),P型InP層電阻較大、發(fā)熱嚴重等問題,提高了器件的性能以及可靠性。 |
