一種垂直腔面發(fā)射激光器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020893504.1 申請日 -
公開（公告）號 CN212033426U 公開（公告）日 2020-11-27
申請公布號 CN212033426U 申請公布日 2020-11-27
分類號 H01S5/183(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張星 申請（專利權(quán)）人 長春中科長光時空光電技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 長春中科長光時空光電技術(shù)有限公司
地址 130000吉林省長春市北湖科技開發(fā)區(qū)明溪路1759號E305室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括由下至上依次層疊的第一電極、襯底、第一反射鏡層、量子點層、第一限制層、過渡層、摻雜層、第二限制層、第二反射鏡層、浮雕層、第二電極，所述過渡層和所述摻雜層中分布有質(zhì)子植入?yún)^(qū)，所述浮雕層包括刻蝕區(qū)和未刻蝕區(qū)，且垂直腔面發(fā)射激光器的中心線與所述浮雕層的交點位于所述刻蝕區(qū)內(nèi)或所述未刻蝕區(qū)內(nèi)。通過引入非共軸的浮雕層的偏移量來實現(xiàn)VCSEL陣列單元不同模式激射，實現(xiàn)長波長VCSEL的波長可調(diào)，制作工藝簡單，同時解決了目前的表面浮雕技術(shù)在設計和制備過程中都需要表面浮雕中心和VCSEL臺面中心嚴格對準的問題。??