NAND閃存芯片的糾錯(cuò)譯碼方法、存儲(chǔ)介質(zhì)及SSD設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111233373.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114078560A 公開（公告）日 2022-02-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN114078560A 申請(qǐng)公布日 2022-02-22
分類號(hào) G11C29/42（2006.01）I;G06F11/10（2006.01）I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 秦東潤(rùn);劉曉健;王嵩 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京得瑞領(lǐng)新科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京慧智興達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李麗穎
地址 100192北京市海淀區(qū)西小口路66號(hào)中關(guān)村東升科技園·北領(lǐng)地B-6號(hào)樓A座9層A905室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種NAND閃存芯片的糾錯(cuò)譯碼方法、存儲(chǔ)介質(zhì)及SSD設(shè)備，所述方法包括：根據(jù)預(yù)設(shè)的初始判決電壓對(duì)目標(biāo)數(shù)據(jù)頁進(jìn)行讀取，得到第一數(shù)據(jù)序列；對(duì)所述第一數(shù)據(jù)序列進(jìn)行ECC譯碼；若譯碼失敗，則采用重讀取判決電壓對(duì)所述目標(biāo)數(shù)據(jù)頁進(jìn)行重讀取，得到第二數(shù)據(jù)序列；對(duì)所述第一數(shù)據(jù)序列和第二數(shù)據(jù)序列進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果確定數(shù)據(jù)序列中對(duì)應(yīng)比特位的可靠度信息；根據(jù)所述可靠度信息將第一數(shù)據(jù)序列或第二數(shù)據(jù)序列映射為譯碼軟信息；對(duì)所述譯碼軟信息進(jìn)行ECC譯碼。本發(fā)明提出的NAND閃存芯片的糾錯(cuò)譯碼方法、存儲(chǔ)介質(zhì)及SSD設(shè)備，可以顯著提升ECC譯碼器的糾錯(cuò)能力，減少Read Retry的嘗試次數(shù)。