NAND閃存的數(shù)據(jù)保護(hù)方法及裝置、計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111525211.3 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN114220468A 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號(hào) CN114220468A 申請公布日 2022-03-22
分類號(hào) G11C16/04（2006.01）I;G11C16/08（2006.01）I;G11C16/26（2006.01）I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 張易;薛紅軍;孫麗華 申請（專利權(quán)）人 北京得瑞領(lǐng)新科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京慧智興達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李麗穎
地址 100192北京市海淀區(qū)西小口路66號(hào)中關(guān)村東升科技園·北領(lǐng)地B-6號(hào)樓A座9層A905室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種NAND閃存的數(shù)據(jù)保護(hù)方法及裝置、計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，該方法包括：在對所述NAND閃存中的每一個(gè)頁進(jìn)行讀取操作時(shí)，將待讀取頁對應(yīng)的字線的第一字線對應(yīng)的干擾次數(shù)加1，并對所述待讀取頁進(jìn)行讀取操作；在所述NAND閃存中的任意一個(gè)字線對應(yīng)的干擾次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)閾值時(shí)，將干擾次數(shù)達(dá)到所述預(yù)設(shè)次數(shù)閾值的字線對應(yīng)的所有頁中的數(shù)據(jù)復(fù)制并保存至第一存儲(chǔ)空間中。本發(fā)明以字線為次數(shù)記錄單元，相較于以塊為記錄單元的方式可以更加充分的利用NAND的特性避免資源浪費(fèi)，延長NAND的使用壽命，同時(shí)不會(huì)因次數(shù)記錄而消耗太多的存儲(chǔ)單元，避免可供用戶使用的存儲(chǔ)空間縮小太多。