一種提升GaN基綠光LED發(fā)光效率的外延層
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021779195.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN214043696U | 公開（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN214043696U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-24 |
| 分類號(hào) | H01L33/12（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 徐良;劉建哲;李昌勛;孫海定;郭煒;李京波 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 黃山博藍(lán)特半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蕪湖眾匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 曹宏筠 |
| 地址 | 245000安徽省黃山市黃山九龍低碳經(jīng)濟(jì)園區(qū)翠薇北路66號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種提升GaN基綠光LED發(fā)光效率的外延層，包括襯底，依次疊加設(shè)置在襯底上的AlN緩沖層、U型GaN層、N型GaN層、多量子阱、電子阻擋層、P型GaN層以及金屬接觸層；所述多量子阱包括若干對(duì)GaN層和InGaN層交替堆疊的周期性結(jié)構(gòu)及設(shè)置在周期性結(jié)構(gòu)上的量子壘層，所述量子壘層包括非故意摻雜GaN層﹑超晶格層以及設(shè)置在超晶格層上的P型InGaN層；所述超晶格層包括若干對(duì)交替堆疊的非故意摻雜的InxGa1?xN和非故意摻雜的AlyGa1?xN。本實(shí)用新型中的多量子阱中的量子壘層，能夠有效減輕LQB附近的能帶彎曲，降低阱壘層極化效應(yīng)，提高GaN基綠光LED發(fā)光效率，可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體照明技術(shù)領(lǐng)域。 |
