一種高亮度深紫外LED用圖形化藍(lán)寶石襯底及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010472434.7 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN111613704B 公開(公告)日 2021-05-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN111613704B 申請(qǐng)公布日 2021-05-18
分類號(hào) H01L33/20;H01L33/12;H01L33/46;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐良;郭煒;孫海定;李昌勛;史偉言;劉建哲;李京波;夏建白 申請(qǐng)(專利權(quán))人 黃山博藍(lán)特半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蕪湖眾匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 曹宏筠
地址 245000 安徽省黃山市黃山九龍低碳經(jīng)濟(jì)園區(qū)翠薇北路66號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高亮度深紫外LED用圖形化藍(lán)寶石襯底及其制備方法。該藍(lán)寶石襯底,包括藍(lán)寶石晶片,所述藍(lán)寶石晶片包括晶片C面,在晶片C面上分布有刻蝕孔,所述刻蝕孔包括底部沉孔和擴(kuò)孔,所述晶片C面及擴(kuò)孔的表面沉積有一層AlN/AlGaN薄膜,所述底部沉孔內(nèi)設(shè)置有納米級(jí)圖形或DBR反射層。該高亮度深紫外LED用圖形化藍(lán)寶石襯底的制備方法依次為涂膠、納米壓印,刻蝕,沉積AlN/AlGaN薄膜,涂膠,曝光、顯影,刻蝕,涂膠,曝光、顯影,沉積納米晶粒或沉積DBR反射層等工序。通過(guò)本發(fā)明獲得的圖形化藍(lán)寶石襯底結(jié)構(gòu),能夠顯著提高藍(lán)寶石晶片的深紫外光折射率,進(jìn)而大幅度提高LED器件的光提取率,最終提高UVCLED的亮度,該圖形化襯底技術(shù)可廣泛應(yīng)用于UVCLED制造領(lǐng)域。