一種高亮度深紫外LED用圖形化藍(lán)寶石襯底及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010472434.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111613704B | 公開（公告）日 | 2021-05-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111613704B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-18 |
| 分類號(hào) | H01L33/20;H01L33/12;H01L33/46;H01L33/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 徐良;郭煒;孫海定;李昌勛;史偉言;劉建哲;李京波;夏建白 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 黃山博藍(lán)特半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蕪湖眾匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 曹宏筠 |
| 地址 | 245000 安徽省黃山市黃山九龍低碳經(jīng)濟(jì)園區(qū)翠薇北路66號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種高亮度深紫外LED用圖形化藍(lán)寶石襯底及其制備方法。該藍(lán)寶石襯底，包括藍(lán)寶石晶片，所述藍(lán)寶石晶片包括晶片C面，在晶片C面上分布有刻蝕孔，所述刻蝕孔包括底部沉孔和擴(kuò)孔，所述晶片C面及擴(kuò)孔的表面沉積有一層AlN/AlGaN薄膜，所述底部沉孔內(nèi)設(shè)置有納米級(jí)圖形或DBR反射層。該高亮度深紫外LED用圖形化藍(lán)寶石襯底的制備方法依次為涂膠、納米壓印，刻蝕，沉積AlN/AlGaN薄膜，涂膠，曝光、顯影，刻蝕，涂膠，曝光、顯影，沉積納米晶粒或沉積DBR反射層等工序。通過(guò)本發(fā)明獲得的圖形化藍(lán)寶石襯底結(jié)構(gòu)，能夠顯著提高藍(lán)寶石晶片的深紫外光折射率，進(jìn)而大幅度提高LED器件的光提取率，最終提高UVCLED的亮度,該圖形化襯底技術(shù)可廣泛應(yīng)用于UVCLED制造領(lǐng)域。 |
