一種提高UVLED出光效率的外延片
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202021786531.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN212517228U | 公開（公告）日 | 2021-02-09 |
| 申請公布號 | CN212517228U | 申請公布日 | 2021-02-09 |
| 分類號 | H01L33/12(2010.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 徐良;劉建哲;史偉言;孫海定;郭煒;夏建白 | 申請（專利權(quán)）人 | 黃山博藍(lán)特半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 蕪湖眾匯知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 曹宏筠 |
| 地址 | 245000安徽省黃山市黃山九龍低碳經(jīng)濟園區(qū)翠薇北路66號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型公開了一種提高UV LED出光效率的外延片，所述外延片從下到上依次為圖形化藍(lán)寶石襯底、超晶格緩沖層、3D GaN層、N型GaN層、N型AlGaN層、InGaN/GaN多量子阱層、P型AlGaN層、P型GaN接觸層；所述超晶格緩沖層為由若干對AlN/AlGaN/GaN/AlGaN交替堆疊組成的超晶格結(jié)構(gòu)；所述圖形化藍(lán)寶石襯底為鍍有AlN的圖形化藍(lán)寶石襯底。通過本實用新型的外延片結(jié)構(gòu)，一方面可以降低GaN外延層中的位錯密度，從而提高量子阱中的輻射復(fù)合效率；另一方面在緩沖層質(zhì)量提高對整個多量子阱的發(fā)光產(chǎn)生更少的吸光效應(yīng)，從而可以有效的提高光的反射，提高UV LED的出光效率。?? |
